温度对MOS管(MOSFET)的性能具有明显影响。首先,温度升高会导致MOSFET的电阻增加,这主要是由于反型层中的电子和空穴的迁移率下降。迁移率降低主要是由于高温增加了载流子在沟道中的散射几率。这种迁移率的下降,会使得MOSFET在高温下性能降低,特别是其导通电阻增大,影响整个设备的效率和功率损耗。
此外,MOSFET的导通电阻具有温度系数特性,通常表现为正温度系数。这意味着当温度上升时,导通电阻也会增加,进而导致流过MOSFET的电流减小,有助于减少进一步的温升,从而在一定程度上可以自动平衡并联MOSFET之间的电流分配。
综上所述,高温对MOSFET造成的主要影响包括电阻的增加以及载流子迁移率的减少,这些变化直接影响了MOSFET的电气性能和稳定性,因此在设计和应用中需要特别注意温度管理。