DDR2（Double Data Rate 2）综述：
回想起DDR的发展历程，从DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400、DDR533技术，第一代DDR的发展已经走到了技术的极限。
由于DDR-I架构的局限性，当频率达到400MHz后，就很难再有所提升，而随着新的处理器技术不断发展，前端总线对内存带宽的要求却越来越高，老迈的DDR SDRAM已经无法胜任，拥有更高更稳定运行频率的内存将是大势所趋，DDR II不可阻挡地走到了大众面前。
相对来说，作为接班人的DDR-Ⅱ在总体上仍保留了DDR-I的大部分特性，相比DDR-I的设计变动并不大，即使针脚数发生了改变，但仍可以强行将DDR II的内存插入到DDR-I的DIMM槽中，这也是需要大家注意的地方。
总体而言，DDR-Ⅱ主要进行了以下几点改进：
1．改进针脚设计：DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针。(注：DDR-II针脚数量有200Pin、220Pin、240Pin三种，其中240Pin的DDR-Ⅱ将用于桌面PC系列)
2．降低工作电压：DDR2内存的VDIMM电压为1。
8V，也和DDR内存的2。5V不同。
3．改进封装方式：它采用了更为先进的FBGA封装方式替代了传统的TSOP/TSOP-II方式。
4．更低的延迟时间：DDR2内存的延迟时间介于1。
8ns到2。2ns之间（由厂商根据工作频率不同而设定），远低于DDR的2。9ns。由于延迟时间的降低，从而使DDR2可以达到更高的频率，最高可以达到1GHz以上的有效频率。
5。
4bit Prefect架构（4位数据预读取）：这也是DDR II内存能在相同的核心频率下，达到更高的数据传输率的关键技术之一。
6．OCD（Off-Chip Driver离线驱动调校）：使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
（OCD功能在普通台式机上并没有什么作用，其优点主要体现在服务器领域）
7．ODT（On Die Terminator片内终结电阻）：终结电阻器可以和内存颗粒的"特性"相符，从而减少内存与主板的兼容问题的出现。
8．Posted CAS功能：Posted CAS是为了解决DDR内存中指令冲突问题，提高DDR II内存的利用效率而设计的功能。（Posted CAS功能的优势只有在那些读写命令非常频繁的运作环境下才能体现，对于一般的应用来说，开启Posted CAS功能反而会降低系统的整体性能）
DDR与DDR II对比表：
DDR SDAMR
DDR II SDRAM
时钟频率
100/133/166/200MHz
200/266/333MHz
数据传输率
200/266/333/400MBPS
400/533/667MBPS
工作电压
2。
5V
1。8V
针脚数
184Pin
200Pin、220Pin、240Pin(240Pin为主流标准)
封装技术
TSOP-II/CSP
CSP（FBGA）封装
最大功率
418毫瓦
318毫瓦
预取设计
2Bit
4Bit
突发长度
2/4/8
4/8
L-BANK数量
最多4个
最多8个
CL值
1。
5、2。5、3。5、3
3、4、5
AL值
无
0、1、2、3、4
接口标准
SSTL_2
SSTL_18
系统最高P-BANK数量
8
4
新增特性
COD、ODT、POSTED CAS
DDR II内存技术详解
1、改进针脚设计
虽说DDR-Ⅱ是在DDR的基础之上改进而来的，外观、尺寸上与目前的DDR内存几乎一样，但为了保持较高的数据传输率，适合电气信号的要求， DDR-Ⅱ对针脚进行重新定义，采用了双向数据控制针脚，针脚数也由DDR的184Pin变为240Pin(注：DDR-II针脚数量有200Pin、220Pin、240Pin三种，其中240Pin的DDR-Ⅱ将用于桌面PC系列。
)
2、更低的工作电压
由于DDR-II内存使用更为先进的制造工艺（DDRII内存将采用0。09微米的制作工艺，其内存容量可以达到1GB到2GB，而随后DDRII内存将会在制造上进一步提升为更加先进的0。
065微米制作工艺，这样DDRII内存的容量可以达到4GB。）和对芯片核心的内部改进，DDRII内存将把工作电压降到1。8V，这就预示着DDRII内存的功耗和发热量都会在一定程度上得以降低：在533MHz频率下的功耗只有304毫瓦（而DDR在工作电压为2。
5V，在266MHZ下功耗为418毫瓦）。不过降低工作电压也来了一个问题：在DDR2初始的200-266MHz的时钟速度上，当模块中组装了32个DRAM芯片时，由于DDR2的核心电压只有1。8V，使得DDR2的边沿斜率比DDR慢。边沿斜率降低的结果是：同一个更高的电压信号相比，电压信号上升时间加长，这加大了制造上的难度。
3、更小的封装
目前DDR内存主要采用TSOP-Ⅱ封装,而在DDRⅡ时代，TSOP-Ⅱ封装将彻底退出内存封装市场，改用更先进的CSP（FBGA）无铅封装技术，它是比TSOP-Ⅱ更为贴近芯片尺寸的封装方法，并且由于在晶圆上就做好了封装布线，在可靠性方面可以达到了更高的水平。
DDR II将有两种封装形式，如果数据位宽是4bit/8bit，则采用64-ball的FBGA封装，数据位宽是16bit，则采用84-ball的FBGA封装。
4、更低的延迟时间，
图-1 延迟时间示意图
在DDR2中，整个内存子系统都重新进行了设计，大大降低了延迟时间，延迟时间介于1。
8ns到2。2ns之间（由厂商根据工作频率不同而设定），远低于DDR的2。9ns。由于延迟时间的降低，从而使DDR2可以达到更高的频率，最高可以达到1GHz以上的有效频率。而DDR1由于已经接近了其物理极限，其延迟时间无法进一步降低，这也是为什么DDR1的最大运行频率不能再有效提高的原因之一。
5、采用了4bit Prefect架构
图-2 4bit Prefect示意图
DDR-Ⅱ在DDR的基础上之上新增4位数据预取的特性，这也是DDR II的关键技术之一。
现在的DRAM内部都采用了4bank的结构，内存颗粒内部单元我们称之为Cell，它是由一组Memory Cell Array构成，也就是内存单元队列。目前内存颗粒的频率分成三种，一种是DRAM核心频率，一种是时钟频率，还有一种是数据传输率。
在SDRAM中，SDRAM也就是同步DRAM，它的数据传输率是和时钟周期同步的，SDRAM的DRAM核心频率和时钟频率以及数据传输率都一样。
以PC-133SDRAM为例，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是133MHz/133MHz/133Mbps。
在DDR I SDRAM中，核心频率和时钟频率是一样的，而数据传输率是时钟频率的两倍，关于这点我们都已经非常的清楚了，DDR也就是Double data rating内存可以在每个时钟周期的上升延和下降延传输数据，也就是一个时钟周期可以传输2bit数据，因此DDR I的数据传输率是时钟频率的两倍。
以DDR266 SDRAM为例，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是133MHz/133MHz/266Mbps。目前JEDEC标准中的DDR I SDRAM的最高标准是DDR400，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是200MHz/200MHz/400Mbps。
颗粒内部的基本组成单元cell的工作频率为200MHz，这个频率再提高会带来稳定性和成本方面的问题。
而在DDR II SDRAM中，核心频率和时钟频率已经不一样了，由于DDR II采用了4bit Prefetch技术。
Prefetch可以意译为"数据预取"技术，可以认为是端口数据传输率和内存Cell之间数据读/写之间的倍率，如DDR I为2bit Prefetch，因此DDR I的数据传输率是核心Cell工作频率的两部。DDR II采用了4bit Prefetch架构，也就是它的数据传输率是核心工作频率的四倍。
实际上数据先输入到I/O缓冲寄存器，再从I/O寄存器输出。DDR II 400 SDRAM的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是100MHz/200MHz/400Mbps。大家要注意的是，DDR II 400 SDRAM的核心频率和DDR I 200是一样的，但是DDR II 400的数据传输率是DDR I 200的两倍。
因此，DDR-Ⅱ虽然实现了4-bit预取，但在实际效能上，与DDR是一样的。因此在相同的核心频率下，DDR-Ⅱ达到了两倍于DDR的的带宽的水平有一个前提条件，那就是DDR-Ⅱ的外部时钟频率也是DDR和SDRAM的两倍。
6、OCD功能
图-3 OCD原理图示
OCD的英文全称为Off-Chip Driver，译为离线驱动调校，DDR-Ⅱ加入了可选的OCD功能，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，从而可以提高信号的完整性。
DDR II主要通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使DQS低电平/DQ高电平时电压相等，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，从而减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性及控制电压来提高信号品质。
不过，由于在一般情况下普能台式机对应用环境稳定程度并不太高，只要存在差分DQS时就基本可以保证同步的准确性，因此OCD功能在普通台式机上并没有什么作用，其优点主要体现在服务器领域。
7、ODT 功能
图-4 ODT原理图示
ODT的英文全称为On Die Terminator，中文意思是片内终结器设计。
在进入DDR时代，DDR内存对工作环境提出更高的要求，如果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象，就会对后面信号的影响从而造成运算出错。因此目前支持DDR主板都是通过采用终结电阻来解决这个问题。由于每根数据线至少需要一个终结电阻，这意味着每块DDR主板需要大量的终结电阻，这也无形中增加了主板的生产成本,而且由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样，也造成了所谓的“内存兼容性问题”。
而在DDR II中加入了ODT功能，即是将终结电阻设于内存芯片内，当在DRAM模组工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM模组则进行终结操作，起到减少信号反射的作用（注：ODT的功能与禁止由北桥芯片控制，在开机进行EMRS时进行设置，ODT所终结的信号包括DQS、RDQS、DQ等等。
），这样可以产生更干净的信号品质，从而产生更高的内存时钟频率速度。而将终结电阻设计在内存芯片之上还可以简化了主板的设计，降低了主板的成本，而且终结电阻器可以和内存颗粒的"特性"相符，从而减少内存与主板的兼容问题的出现。
8、Posted CAS功能
图-5 Posted CAS原理图示
Posted CAS是为了解决DDR内存中指令冲突问题，提高DDR II内存的利用效率而设计的功能。
在Posted CAS操作中，它允许CAS信号紧随RAS发送（相对于以往的DDR等于将CAS前置），CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。但读/写操作并没有因此而提前，仍有要保证有足够的延迟/潜伏期，为此在DDR-Ⅱ中引入“Additive Latency”概念（简称AL，主要用来代替原来的“RAS到CAS和延迟”，意为附加潜伏期。
），而CL也不再采用原来的x。5的设计，而采用整数设计（CL最低值为3，最高为5）。与CL一样，AL单位为时钟周期数，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置，当AL设为0时，前置CAS无效，内存在传统DDR模式下运行。Posted CAS优点到于可以很容易解决ACT和CAS信号之间产生碰撞的冲突，从而提高了命令、数据总线的效率及实际的内存带宽。
不过Posted CAS也存在一个问题，就是在背靠背式读取数据时，由于要经过AL加CL的潜伏期，所以会增加读取的延迟反而增加了。因此Posted CAS功能的优势只有在那些读写命令非常频繁的运作环境下才能体现，对于一般的应用来说，开启Posted CAS功能反而会降低系统的整体性能。
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