半导体发光二极管及其发展历史及运用
发光二极管Light-Emitting Diode 是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。当通过正向电流时，n区电子获得能量越过PN结的禁带与p区的空穴复合以光的形式释放出能量
发光二极管的发展
年代	发光颜色	材料	发光效率lm/w	
1965	红	Ge	0。
  1	
1968	橙、黄	GaAsP	1	
1971	绿	GaP	1	
80年代	红	AlGaAs	10	
90年代	红,黄	GaAlInP	100	
90年代	蓝,绿	GaInN	50	
90年代	蓝	GaN	200	
	宽带隙化合物半导体材料，有很高的禁带宽度（2。
  3  —6。2eV)，可以覆盖红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围 ，是到目前为止其它任何半导体材料都无法达到的
	高频特性，可以达到300G Hz（硅为10G，砷化镓为80G）
	高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境）
	电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好
	耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境）
	高压特性（耐冲击，可靠性高）
大功率（对通讯设备是非常渴望的）
	半导体白光照明
	车内照明
	交通信号灯
	装饰灯
	大屏幕全彩色显示系统
	太阳能照明系统
	其他照明领域
	紫外、蓝光激光器
高容量蓝光DVD、激光打印和显示、军事领域等
发光效率高，节省能源
•耗电量为同等亮度白炽灯的 10%-20%，荧光灯的1/2。
  
绿色环保
•冷光源，不易破碎，没有电磁干扰，产生废物少
寿命长
•寿命可达10万小时
固体光源、体积小、重量轻、方向性好
•单个单元尺寸只有3~5mm
响应速度快，并可以耐各种恶劣条件
低电压、小电流
日本、美国、欧盟、韩国等国家和地区都相继制定了本国的半导体照明计划
我国科技部于2003年6月成立“国家半导体照明工程”协调领导小组，在“十五”期间，从国家层面推出“半导体照明工程”
如果我国1/3照明应用半导体照明，每年可以节约的电量1000亿度，多于一个三峡水电站的发电量（800亿度）
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