我们把这个存储卡看做网状结构。也就是矩阵结构。这个叫做Flash存贮矩阵，由网格中的小存贮单元构成。矩阵结构看做楼房，存贮单元是房间，存贮单元的一位如一张床，每一位可以是1或0（床位有人或无人），每个房间都有一个编号，工作人员按照编号查房，这个编号称为地址。
内存卡是放在手机里存储资料的，考内存空间大小来存储（如果你觉得我的回答对你有用，请点击有用）
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞）如下图所示，常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。
若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。 闪存的基本单元电路如下图所示，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。
读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅， 在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。
浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。 闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。
即将有所数据归“1”。 写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。 读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。
浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
我们把这个存储卡看做网状结构。也就是矩阵结构。这个叫做Flash存贮矩阵，由网格中的小存贮单元构成。矩阵结构看做楼房，存贮单元是房间，存贮单元的一位如一张床，每一位可以是1或0（床位有人或无人），每个房间都有一个编号，工作人员按照编号查房，这个编号称为地址。根据地址，处理器可以对这些位置进行读和写两种操作，从而读写数据，而这些记忆单元都是由复杂的物质组成的，这里不再赘述。
存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。 EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞）如下图所示，常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。
若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
靠的是储存芯片Flash，将2进制信息0、1存进去就可以了 这个就是它的存储原理 希望对你有用
原理是这样的 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。
闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。 闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。
根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
我们把这个存储卡看做网状结构。也就是矩阵结构。这个叫做Flash存贮矩阵，由网格中的小存贮单元构成。矩阵结构看做楼房，存贮单元是房间，存贮单元的一位如一张床，每一位可以是1或0（床位有人或无人），每个房间都有一个编号，工作人员按照编号查房，这个编号称为地址。 根据地址，处理器可以对这些位置进行读和写两种操作，从而读写数据，而这些记忆单元都是由复杂的物质组成的，这里不再赘述。
我们把这个存储卡看做网状结构。也就是矩阵结构。这个叫做Flash存贮矩阵，由网格中的小存贮单元构成。矩阵结构看做楼房，存贮单元是房间，存贮单元的一位如一张床，每一位可以是1或0（床位有人或无人），每个房间都有一个编号，工作人员按照编号查房，这个编号称为地址。根据地址，处理器可以对这些位置进行读和写两种操作，从而读写数据，而这些记忆单元都是由复杂的物质组成的
内存卡属于闪存flash类型的产品而闪存是以单晶体管作为二进制信号的存储单元，其结构与普通的半导体晶体管非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅（floating gate）”和“控制栅（Control gate）”。浮动栅用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，NAND单晶体管的存储状态就由1变成0；而当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1。包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，只有遇到数据0时才发生写入动作，但这个过程需要耗费较长的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。 希望能帮助到你，麻烦点击“有用”，谢谢！
我们把这个存储卡看做网状结构。也就是矩阵结构。这个叫做Flash存贮矩阵，由网格中的小存贮单元构成。矩阵结构看做楼房，存贮单元是房间，存贮单元的一位如一张床，每一位可以是1或0（床位有人或无人），每个房间都有一个编号，工作人员按照编号查房，这个编号称为地址。 根据地址，处理器可以对这些位置进行读和写两种操作，从而读写数据，而这些记忆单元都是由复杂的物质组成的，这里不再赘述。 、帮到你的话请点：有用~
靠容量。（如果你对回答满意，请设为有用。）
SD卡存储卡，是用于手机、数码相机、便携式电脑、MP3和其他数码产品上的独立存储介质，一般是卡片的形态，故统称为“存储卡”，又称为“数码存储卡”、“数字存储卡”、“储存卡”等。存储卡具有体积小巧、携带方便、使用简单的优点。同时，由于大多数存储卡都具有良好的兼容性，便于在不同的数码产品之间交换数据。近年来，随着数码产品的不断发展，存储卡的存储容量不断得到提升，应用也快速普及。
就跟U盘差不多
看看这个 内存卡属于闪存flash类型的产品 而闪存是以单晶体管作为二进制信号的存储单元，其结构与普通的半导体晶体管非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅（floating gate）”和“控制栅（Control gate）”。浮动栅用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，NAND单晶体管的存储状态就由1变成0；而当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1。包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，只有遇到数据0时才发生写入动作，但这个过程需要耗费较长的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞）如下图所示，常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。
若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
答：详情>>
答：如果代码没有仔细地把要存放的数据大小同应该保存它的空间大小进行对照检查，那么靠近该分配空间的内存就有被覆盖的风险详情>>
答：它还采用了突发总线方式，大大提高了与内存的数据交换速度详情>>
