二极管发光原理是什么
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简单说,发光二极管LED (Light Emitting Diode)是利用二极管?鹊缱佑肟障督岷瞎讨心芰孔徊獾氖涑觥? 详细说,LED发光原理:发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。
因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 发光二极管的种类很多,按发光材料来区分有磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaAsP)发光二极管、砷铝镓(GaAIAs)发光二极管等;按发光颜色来分有发红光、黄光、绿光以及眼睛看不见的红外发光二极管等;若按功率来区别可分为小功率(HG 400系列)、中功率(HG50系列)和大功率(HG52系列)发光二极管:另外还有多色、变色发光二极管等等。
发光二极管及在电路中的符号,如图Z0128所示。。
半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是P-N结。
因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即: λ≈1240/Eg(mm) 式中Eg的单位为电子伏特(eV)。 若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3。26~1。
63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
发光二极管的管芯结构与普通二极管相似,由一个PN结构成。当在发光二极管PN结上加正向电压时,空间电荷层变窄,载流子扩散运动大于漂移运动,致使P区的空穴注入N区,N区的电子注入P区。当电子和空穴复合时会释放出能量并以发光的形式表现出来。
问:工程上电路的浪涌电流是300A左右,用35A的整流桥KBPC3510可以吗?电路...
答:工程上所使用的整流桥 都是按照1:2的比例来做的 比如说35A的整流桥 它能承受的电路电流就是10A左右 你的电流是10A 用KBPC3510没有问题...详情>>