这是关系到pn结基本原理的问题，在一般的电路书籍中不会讲到。 （1）“在高掺杂的情况下，耗尽层宽度很小”：由于耗尽层就是空间电荷区，其中的空间电荷主要是杂质电离中心提供的，因此掺杂浓度越大，电荷密度就越大，于是产生相同内建电场所需要的宽度就越小，即耗尽层宽度变小。
（2）“高掺杂情况下会发生雪崩击穿吗？”——不会。因为高掺杂时，耗尽层厚度很薄，就很容易发生隧道效应（是一种量子效应），即产生齐纳击穿。因此，还没有产生雪崩击穿时，就已经发生齐纳击穿了。 “低掺杂情况下会发生齐纳击穿吗？”——也不会。因为低掺杂时，耗尽层厚度较大，不容易发生隧道效应，所以只能发生较高击穿电压的雪崩击穿。
对于Si-pn结的击穿，一般存在以下的规律：击穿电压小于4V者为齐纳击穿，击穿电压大于6V者为雪崩击穿，击穿电压在4V～6V之间者属于两种击穿都发生的混合型击穿（温度稳定性最好的稳压二极管，电压就是5V左右）。 如果对物理原理感兴趣的话，请详见“http://blog。
163。com/xmx028@126/”中的有关说明。
