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”闪存存储原理编辑要讲解闪存的存储原理,还是要从EPROM和EEPROM说起
1个回答
写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量
数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,与四周无直接电气联接
4.闪存存储数据更加安全,原因包括:1.其非机械结构,因此移动并不会对它的读写产生影响;2.广泛应用的机械型硬盘的使用寿命与读写次数和读写速度关系非常大,而闪存受影响不大;3.硬盘的写入是靠磁性来写入,闪存则采用电压,数据不会因为时间而消除
是的,手机的内存就是那种FLASH存储原理。
闪存的工作原理: 是利用"热电子"注入来实现写入的,用Fowier-Nordheim隧道效应实现擦除功能,其电擦除原理见图1.在源极上加高压Vpp,控制栅接地,在电场作用下,浮置栅上的电子越过氧化层进入源极区而全部消失,从而实现整体擦除或分区擦除. Flash Reclaim 记录的是闪存使用次...
2个回答
闪存存储比磁盘数据访问速度快,延迟更是低得多,但它比其他存储产品的成本高约20%100%,甚至更高
闪存存储比磁盘数据访问速度快,延迟更是低得多,但它比其他存储产品的成本高约20%-100%,甚至更高
写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入第一级浮空栅
寻址时,NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包,每包传送8位地址信息
闪存的工作原理决定了它的擦除操作是以块(Block)为单位,而写入操作则是以页(Page)为最小单位
闪存是利用/8A+30F76T技术实现数据存储的,因其样子有如一张卡片,又称之为闪存卡