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(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好
1个回答
漏源电压:由于比较器仅有两个不同的输出状态(零电平或电源电压),且具有满电源摆幅特性的比较器的输出级为射极跟随器,这使得其输入和输出信号仅有极小的压差
场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负
绝缘珊型场效应管 或者直接叫MOS管 具体计算要参见具体电路
大家也把源极(Source)和漏极(Drain)之间的部分叫做沟道(Channel),在栅极氧化物上面是栅极(Gate)
通道的极性与其漏极(drain)与源极相同,假设漏极和源极是ntype,那么通道也会是ntype
当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S
左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压
所谓的源型和漏型是对于触点的电流方向来考虑的,电流从触点往外流的就是源型,就是所说的拉电流,反之就是漏型,也叫灌电流。一般源型的公共端接的是电源的正极,就是COM端,漏型的COM端接的是电源的负极,这个选型对于两线制的开关无所谓,像限位开关,但是对于三线制的开关就要小心了,比方说接近开关,源型使用的...
2:场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量,晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量
源型和漏型,一般针对晶体管型电路而言,可以直接理解为IO电路向外提供/流出电流(源或称为source)或吸收/流入电流(漏或称为sink)。对于DO来说,一般PNP型晶体管输出为源型,输出模块内部已经接好电源,电流通过DO向外流出,不需要外接任何电源DO就可以直接驱动继电器。西门子300/400系列...
分别与源极s和漏极d相连的N+区,是通过光刻和扩散等工艺来完成的隐埋层,其作用是为源极s、漏极d提供低阻通路
由结型场效应管的特性曲线可以看出,VGS=0时,IDs是很大的. 其实,结型场效应的特性曲线有点像电子管.只不过各极电压不同罢了. 看来你确如楼上"神机真人"所说的弄昏了头...... 只有N沟道(增强型)绝缘栅场效应管才是栅压为0时,漏极电流为0.
3个回答
结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极
神经源性膀胱是世界性难题,现在没有比较有效的方法,即使有,也是实验性的治疗。 如果是外伤引起的,大多数在半年内会逐渐改善。现在临床上没有有效的治疗方法.如果不能排尿,应在无菌条件下导尿或造瘘。
到
2个回答
而SOI不足在于必须减小晶体管漏极/源区域的深度,而这将导致晶体管阻抗的升高
这就是开关的特性
MOS工艺中最小线宽又叫特征尺寸,在设计时,常指的是MOSFET的栅极的长度L,理论上来说,栅极的长度就是它所控制的沟道长度(即漏极与源极之间的距离),但实际上,由于在源极与漏极进行掺杂时存在横向扩散,所以L其实是导电沟道的长度,在标准MOS工艺中,往往栅极会把沟道整个盖住,所以栅长是比沟道长度稍大...
功率三极管导通后C-E压降是随基极电流变化而急剧变化,就是基极电流的变化,引起C-E电阻的变化,实际是集电极电流变化,使得负载电阻上电压变化,看似C-E压降变化。 漏源极压降随导通电流大小而变化,这个变化是栅极电压变化造成的,也和负载电阻而变。
由MOS管在制作时确定的。或者在同一工艺下制作时,对大量元件筛选分档后的结果。
4个回答
漏极,栅极(Gate——G,也叫做门极),源极(Source——S),漏极(Drain——D)场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管
这个在医学上是很棘手的问题,没有特别好的治疗方法,治标的方法是做尿道造瘘。
老鸟答得基本正确,但有一点要纠正,三用表,通称万用表,分指针式和数字式,表笔的颜色和极性正好相反,指针式黑正,红负(老鸟用的是这种);数字式是红正,黑负。用万用表量一下二极管即可知道。
没有限制,可以同时或分别加电。如果有顺序那么在放大信号时电流可是变化的,有大、有小,有正、有负,电路还怎么工作?当然焊接时要求按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接。
你的电路不完整,电压转换是通过控制MOS的导通率、由T2完成的。
由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N漂移区,最后垂直向下到达漏极D