主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅 在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。
有电子为0，无电子为1。 闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。 写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。
这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。 读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。
因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。 。
主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅 在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。
有电子为0，无电子为1。 闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。 写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。
这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。 读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。
因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。 。
闪存,断电没有内容了吗?内存也是移动存储啊,他与U盘没有什么区别啊,你说的不是闪存吧,...以前,叫U盘多叫闪存啊,,
答：所谓“USB闪存盘”（以下简称“U盘”）是基于USB接口、以闪存芯片为存储介质的无需驱动器的新一代存储设备。U盘的出现是移动存储技术领域的一大突破，其体积小巧，...详情>>
答：可能是盗版的使用KV2005详情>>
答：你只需要重起电脑，点击F8进入安全模式，选择Administrator用户进入，你在控制面板里的用户管理里，就可以任意更改你的管理员密码详情>>
